Szukaj

Wpływ przypowierzchniowego domieszkowania węglika krzemu 4H-SiC techniką implantacji jonów na właściwości elektrofizyczne struktur MOS

Akronim projektu: 
Projekt MNISW – 96942
Zespół realizujący: 
krajowy
Projekt dotyczy: 
badań podstawowych
Rola pełniona w projekcie: 
główny wykonawca
Źródło finansowania: 
środki własne
Termin realizacji projektu: 
01.01.2011 - 01.12.2013
Stan zaawansowania prac w projekcie: 
faza rozwoju
Streszczenie projektu: 
Wpływ przypowierzchniowego domieszkowania węglika krzemu 4H-SiC techniką implantacji jonów na właściwości elektrofizyczne struktur MOS – Projekt MNISW – 96942 Okres realizacji: 2011-2013; Kierownik: prof. dr hab.inż. Jan Szmidt, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych, Politechnika Warszawska; Uczestnicy z naszego Zakładu: prof. Jacek Szuber, mgr inż. Michał Sitarz.

Zakres tematyczny projektu

słowa kluczowe

Obszar tematyczny projektu wg obszaru KET

Obszary tematyczny projektu wg OECD